Mme. Zorai Sana

• Région: Bizerte
• Etablissement: Université centrale
• Classification: Supérieur
• Niveau: 1ére année
• Spécialité: Physique
• Matiére: Physique
• Email: sana.zorai@gmail.com
• Cv :

  Sana Zorai État Civil Date et lieu de naissance : Le 08 Novembre 1982 à Bizerte Nationalité : Tunisienne, État civil : Mariée, 2 enfants, Adresse : 375, rue Mohamed Oudhabechi, Cité El Hena,7000 Bizerte, Tunisie. Téléphone : 23 87 42 29 E-mail : sana.zorai@gmail.com , zoraisana@yahoo.fr Diplômes  2014 : Doctorat en physique (Mention Très Honorable), Université de Carthage, Faculté des sciences de Bizerte.  2008 : Master de recherche Physique des Matériaux: Propriétés et Analyses (Mention Très Bien), Université de Carthage, Faculté des Sciences de Bizerte.  2006 : Maîtrise de Physique Appliquée, Faculté des Sciences de Bizerte.  2002 : Baccalauréat Section Technique, Lycée de Bizerte. Activités Professionnelles  2015-2019 : Maître assistante ( et chef département ) Institut Préparatoire aux Etudes d'Ingénieur d'Al Kharj, Université Sattam Bin Abdelazziz, Arabie Saoudite.  2009-2015 : Assistante contractuelle Institut Préparatoire aux Etudes d'Ingénieur de Bizerte.  2008-2009 : Assistante contractuelle École Nationale des Sciences de l'Informatique (ENSI). Thèmes de recherche Etude des mécanismes de transport de charges dans le canal de conduction des transistors à effet de champ organiques à base de polythiophène. Publications Scientifiques [1] S. Zorai, and R. Bouguigua: Contact Resistance in Organic Thin Film Transistors: Application to Octithiophene (8T), International Journal of Modern Physics and Applications Vol. 1, No. 4, 131-138, 2015. [2] S. Zorai, S. Mansouri, R. Bourguiga: The effects of the nature of dielectric layers on the electric properties of organic thin-film transistor based on octithiophene (8T). Superlattices and Microstructures, 55, 211–221, (2013). [3] S. Zorai, S. Mansouri, R. Bourguiga: Dynamic analytical model for charge transport in octithiophene thin film transistors, Superlattices and Microstructures, 52, 1103–1118, (2012). [4] S. Zorai, R. Bourguiga: Analytical model for charge transport in organic thin-film transistors: application to polythiophene, European Physical Journal Applied Physics, 59: 20201. (2012). [5] S. Mansouri, S. Zorai, R. Bourguiga: The overall device resistance in organic thin film transistor: Application to octithiophene (8T), Synthetic Metals, 162, 231-235, (2012). [6] S. Mansouri, M. Mahdouani, A. Oudir, S. Zorai, S. Ben Dkhil, G. Horowitz and R. Bourguiga: Analytic model for organic thin film transistors (OTFTs): effect of contact resistances application to the octithiophene, The European Physical Journal Applied Physics, 48, 30401, (2009). Communications [1] S. Zorai and R. Bourguiga :" Analytical model for charge transport in organic thin film transistors 10ème Colloque National de Recherche en Physique CNRP10 Sousse - du 20 au 23 Décembre 2011 ". [2] S. Zorai and R. Bourguiga: "Contact effect and extraction of intrinsic parameters of sexithiophène field effect transistors International Conference On Conducting Materials ICOCOM November 3-7, 2010, Sousse, Tunisia." [3] S. Zorai, M. Mahdouani, R. Bourguiga, A. Oudir, S. Mansouri et S. Ben Dkhil, « Courant tunnel dans les transistors à effet de champ organiques en couches minces » 9ème Colloque National de Recherche en Physique, 17-20 Mars 2008 Yasmine Hammamet. [4] S. Zorai: Workshop 2009 organisée par l'Association Tunisienne de Cristallographie, 16-18 Mars 2009 Bizerte. [5] S. Zorai: 1ère Ecole Nanomatériaux et Applications biomédicales 02-06 Novembre 2009 Bizerte. [6] S. Zorai:1ère Ecole de Physique des Matériaux 24-26 juin 2008 Bizerte. [7] S. Zorai, R. Bourguiga: Analytical model for extraction parameters of octithiophene thin film transistor at ambient and low temperature, Conférence Franco-maghrébine sur les Nanomatériaux. 2 -5 Mai 2013, Sousse. Activités d'enseignement 1. 2009-2015 : Sciences Physiques: TPs (MP1, MP2, PC1, PC2, BG1, BG2; IPEIB) : Focométrie, Prisme, Oscilloscope, Bobine, Loi de Kirchhoff, Redressement-Filtrage, Charge et décharge d'un condensateur, Amplificateur Opérationnel, Filtres passifs, Filtres actifs, Polarisations des ondes lumineuses, Interférences des ondes lumineuses, Diffractions des ondes lumineuses 2. 2008-2009 : Systèmes logiques : Cours, TDs et TPs (II1, ENSI): La logique combinatoire (Rappel : Propriétés de l'algèbre booléenne, Synthèse et Simplification, Table de Karnaugh ...), Les Portes Logiques, La logique séquentielle (Systèmes asynchrones, Système synchrone ...), Les Bascules (Bascule RS, Bascule JK, Bascule D, Bascule T ...), Compteurs/Décompteurs, Codeurs/Décodeurs, Multiplexeurs/Démultiplexeurs. . Supports pédagogiques  Fiches des Travaux Pratiques (MP1, PC1, BG1).  Fiches des Travaux Pratiques (MP2, PC2, BG2). Participation à des Jury 2008-2009: Membre de Jury des soutenances de validation des stages d'été des classes II1 à l'ENSI. Compétences Informatiques • Programmation avec Matlab, Fortan 90, Origin ; Systèmes d'exploitation Windows ; Logiciels bureautiques : Ms. Word, Ms. Excel, Ms. Power Point, Latex, Prezi, Focusky.